HOME > Article > Detail4H-SiC中の転位組織の放射光トポグラフによる解析松畑 洋文, 山口 博隆, 関口 隆史, 陳 斌, 佐々木 雅之, 大野 俊之, 鈴木 拓馬, 畠山 哲夫, 辻 崇, 米澤 喜幸, 荒井 和雄. 電気学会論文誌． Ａ 135 [12] 768-779. 2015.https://doi.org/10.1541/ieejfms.135.768 NIMS author(s)Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2016-05-24 18:01:05 +0900Updated at: 2024-04-01 17:42:03 +0900
