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著者名Yixi Zhuang, Ying Lv, Le Wang, Wenwei Chen, Tian-Liang Zhou, Takashi Takeda, Naoto Hirosaki, Rong-Jun Xie.
タイトルTrap Depth Engineering of SrSi2O2N2:Ln2+,Ln3+ (Ln2+ = Yb, Eu; Ln3+ = Dy, Ho, Er) Persistent Luminescence Materials for Information Storage Applications
掲載誌名ACS Applied Materials & Interfaces 10 [2] 1854-1864
ISSN: 19448244 19448252
発表年2018
言語English
ESIでのカテゴリ
DOIhttps://doi.org/10.1021/acsami.7b17271
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