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著者名Bin Chen, Takashi Sekiguchi, Hirofumi Matsuhata, Takasumi Ohyanagi, Akimasa Kinoshita, Hajime Okumura.
タイトルEffect of Fe impurity on the dislocations in 4H-SiC: Insights from electrical and optical characterization
掲載誌名Japanese Journal of Applied Physics 53 5S1 05FG01
ISSN: 13474065 00214922
発表年2014
言語English
DOI10.7567/jjap.53.05fg01
ESIでのカテゴリPHYSICS
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