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著者名Ryoma Hayakawa, Kenji Higashiguchi, Kenji Matsuda, Toyohiro Chikyow, Yutaka Wakayama.
タイトルPhotoisomerization-Induced Manipulation of Single-Electron Tunneling for Novel Si-Based Optical Memory
掲載誌名ACS Applied Materials & Interfaces 5 [21] 11371-11376
ISSN: 19448244 19448252
発表年2013
言語English
ESIでのカテゴリMATERIALS SCIENCE
DOIhttps://doi.org/10.1021/am403616m
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