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著者名X. L. Yuan, T. Sekiguchi, S. G. Ri, S. Ito.
タイトルStudy of dislocations in strained-Si/Si0.8Ge0.2heterostructures by EBIC, TEM and etching techniques
掲載誌名The European Physical Journal Applied Physics 27 1-3 337 340
ISSN: 12860050 12860042
発表年2004
言語English
DOI10.1051/epjap:2004119-7
ESIでのカテゴリPHYSICS
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