Structure and properties of GaN films grown on single crystalline ZnO substrate prepared by molecular beam epitaxy | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Structure and properties of GaN films grown on single crystalline ZnO substrate prepared by molecular beam epitaxy
(MBE法によりZnO単結晶上に作製したGaN薄膜の構造と特性)

OGAKI, Takeshi, SUGIMURA, Shigeaki, OHASHI, Naoki, SAKAGUCHI, Isao, SEKIGUCHI, Takashi, HANEDA, Hajime.

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 9999-9999. 2005.

NIMS著者

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作成時刻: 2022-10-21 22:02:29 +0900更新時刻: 2022-10-21 22:02:29 +0900

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