ラジカル分子は、その構造やヘテロ原子によって電子およびスピン状態を制御できることから、注目を集めています。本論文では、極低温走査型トンネル顕微鏡（STM）および密度汎関数理論（DFT）計算を用いて、金(111)表面上に生成したAuSix薄膜に吸着した4,8,12-トリオキソトリアングレン分子の電子およびスピン状態の制御について調査しました。STMによる計測から、分子の吸着サイトや基板との相互作用によって、さまざまな状態が生じることが分かりました。さらに、STMの探針を用いて単分子内のSi–O結合の形成や解離を行うことで、分子のスピン状態や電子的特性を制御することに成功しました。本研究により、分子スピントロニクスの発展に貢献する新たな知見を得ることができました。

作成時刻: 2025-09-02 03:13:59 +0900 更新時刻: 2026-08-13 04:33:22 +0900