Shear-Mode Raman Imaging of Ferroelectric Switching in Multilayer <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"> <mml:mrow> <mml:mn>3</mml:mn> <mml:mi>R</mml:mi> <mml:mtext>−</mml:mtext> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext>MoS</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn>2</mml:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

HOME > 論文 > 書誌詳細

Shear-Mode Raman Imaging of Ferroelectric Switching in Multilayer 3 R − MoS 2

Yulu Liu, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Xiaoxiang Xi.

Physical Review Letters 136 [20] 206202. 2026.

https://doi.org/10.1103/2xv1-t31x

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2026-05-26 03:06:40 +0900 更新時刻: 2026-09-30 06:08:25 +0900

▲ページトップへ移動