WSe2 Light-Emitting Tunneling Transistors with Enhanced Brightness at Room Temperature

F. Withers; O. Del Pozo-Zamudio; S. Schwarz; S. Dufferwiel; P. M. Walker; T. Godde; A. P. Rooney; A. Gholinia; C. R. Woods; P. Blake; S. J. Haigh; K. Watanabe; T. Taniguchi; I. L. Aleiner; A. K. Geim; V. I. Fal’ko; A. I. Tartakovskii; K. S. Novoselov; F. Withers; O. Del Pozo-Zamudio; S. Schwarz; S. Dufferwiel; P. M. Walker; T. Godde; A. P. Rooney; A. Gholinia; C. R. Woods; P. Blake; S. J. Haigh; K. Watanabe; T. Taniguchi; I. L. Aleiner; A. K. Geim; V. I. Fal’ko; A. I. Tartakovskii; K. S. Novoselov

doi:10.1021/acs.nanolett.5b03740

WSe2 Light-Emitting Tunneling Transistors with Enhanced Brightness at Room Temperature

F. Withers, O. Del Pozo-Zamudio, S. Schwarz, S. Dufferwiel, P. M. Walker, T. Godde, A. P. Rooney, A. Gholinia, C. R. Woods, P. Blake, S. J. Haigh, K. Watanabe, T. Taniguchi, I. L. Aleiner, A. K. Geim, V. I. Fal’ko, A. I. Tartakovskii, K. S. Novoselov.

Nano Letters 15 [12] 8223-8228. 2015.

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b03740

NIMS author(s)

Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)

Created at: 2016-07-11 14:08:19 +0900Updated at: 2024-03-29 20:14:26 +0900