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著者名Keiichi Omika, Yasunori Tateno, Tsuyoshi Kouchi, Tsutomu Komatani, Seiji Yaegassi, Keiichi Yui, Ken Nakata, Naoka Nagamura, Masato Kotsugi, Koji Horiba, Masaharu Oshima, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome.
タイトルOperation Mechanism of GaN-based Transistors Elucidated by Element-Specific X-ray Nanospectroscopy
掲載誌名Scientific Reports 8 1
ISSN: 20452322
発表年2018
言語English
DOI10.1038/s41598-018-31485-4
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