Highly Tunable Valley Polarization of Potential-Trapped Moiré Excitons in <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi>WSe</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>/</mml:mo><mml:msub><mml:mrow><mml:mi>WS</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math> Heterojunctions | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Highly Tunable Valley Polarization of Potential-Trapped Moiré Excitons in WSe2/WS2 Heterojunctions

Yueh-Chun Wu, Matthew DeCapua, ZhongChen Xu, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, YouGuo Shi, Jun Yan.

Physical Review Letters 134 [25] 256402. 2025.

https://doi.org/10.1103/physrevlett.134.256402

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2025-07-08 03:07:30 +0900 更新時刻: 2026-09-23 04:33:52 +0900

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