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著者名T. Yamashita, H. Matsuhata, T. Sekiguchi, K. Momose, H. Osawa, M. Kitabatake.
タイトルCharacterization of comet-shaped defects on C-face 4H-SiC epitaxial wafers by electron microscopy
掲載誌名Journal of Crystal Growth 416 142 147
ISSN: 00220248
発表年2015
言語English
DOI10.1016/j.jcrysgro.2015.01.034
ESIでのカテゴリCHEMISTRY
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