Characterization of comet-shaped defects on C-face 4H-SiC epitaxial wafers by electron microscopy

著者	T. Yamashita, H. Matsuhata, T. Sekiguchi, K. Momose, H. Osawa, M. Kitabatake.
掲載誌名	Journal of Crystal Growth 416 142-147 ISSN: 00220248 ESIでのカテゴリ: CHEMISTRY
出版社	Elsevier BV
発表年	2015
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.01.034
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