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光熱偏向分光法によるIII-V族窒化物半導体の評価 -非輻射再結合から見た価電子帯構造と欠陥準位-

著者角谷 正友.
掲載誌名日本結晶成長学会誌 48-4-02
出版社日本結晶成長学会
発表年2022
言語Japanese
DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.48-4-02
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