HOME > 論文 > 書誌詳細光熱偏向分光法によるIII-V族窒化物半導体の評価 -非輻射再結合から見た価電子帯構造と欠陥準位-角谷 正友. 日本結晶成長学会誌 48 [4] 48-4-02. 2022.https://doi.org/10.19009/jjacg.48-4-02 NIMS著者角谷 正友Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2022-04-21 03:25:04 +0900 更新時刻 :2023-06-09 09:33:07 +0900