HOME > Article > Detail光熱偏向分光法によるIII-V族窒化物半導体の評価 -非輻射再結合から見た価電子帯構造と欠陥準位-角谷 正友. 日本結晶成長学会誌 48 [4] 48-4-02. 2022.https://doi.org/10.19009/jjacg.48-4-02 NIMS author(s)SUMIYA, MasatomoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2022-04-21 03:25:04 +0900Updated at: 2024-04-02 07:00:40 +0900
