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Optically active vacancies in GaN grown on Si substrates probed using a monoenergetic positron beam

著者Akira Uedono, Tatsuya Fujishima, Yu Cao, Yang Zhang, Nakaaki Yoshihara, Shoji Ishibashi, Masatomo Sumiya, Oleg Laboutin, Wayne Johnson, Tomás Palacios.
掲載誌名Applied Physics Letters 104 [8] 082110
ISSN: 00036951, 10773118
ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社AIP Publishing
発表年2014
言語English
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.4866966
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