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Ion-induced frequency shift of 1100 cm-1 IR vibration in implanted SiO2: compaction vs. bond-breaking
(厚いSiO2上の薄い注入層のイオン誘起密度化：1050 cm-1反射帯の新解釈)

H. Amekura, N. Umeda, N. Okubo, N. Kishimoto.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 206 1101-1105. 2003.
https://doi.org/10.1016/s0168-583x(03)00919-4

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    作成時刻: 2016-05-24 11:49:16 +0900 更新時刻: 2025-07-17 06:02:26 +0900

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