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Influence of substrate nitridation on GaN and InN growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
(MBE法によるGaN、InN成長における基板窒化の影響)

Journal of the Ceramic Society of Japan 120 [1407] 513-519. 2012.

NIMS著者


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    作成時刻 :2016-05-24 16:50:37 +0900 更新時刻 :2022-09-05 13:32:15 +0900

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