エネルギー可変陽電子ビームによるInxGa1-xN薄膜の空孔型欠陥の評価
(Vacancy-type defects in InGaN films probed by using monoenergetic positron beams)
| 著者 | 上殿明良, 角谷 正友, 石橋章司, 大島永康, 鈴木 良一. |
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| 掲載誌名 | 日本陽電子科学会会報「陽電子科学」第3号（2014年） 3 3-11 |
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| 発表年 | 2014 |
| 言語 | Japanese |