エネルギー可変陽電子ビームによるInxGa1-xN薄膜の空孔型欠陥の評価
(Vacancy-type defects in InGaN films probed by using monoenergetic positron beams)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-03-17 07:24:27 +0900更新時刻: 2018-12-15 00:40:52 +0900