HOME > Article > Detailエネルギー可変陽電子ビームによるInxGa1-xN薄膜の空孔型欠陥の評価(Vacancy-type defects in InGaN films probed by using monoenergetic positron beams)上殿明良, 角谷 正友, 石橋章司, 大島永康, 鈴木 良一. 日本陽電子科学会会報「陽電子科学」第3号(2014年) 3 3-11. 2014.NIMS author(s)SUMIYA, MasatomoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at :2017-03-17 07:24:27 +0900 Updated at :2018-12-15 00:40:52 +0900