Microcrystal Growth of GaAs on a Se-Terminated GaAlAs Surface for the Quantum-Well Box Structure by Sequential Supplies of Ga an | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Microcrystal Growth of GaAs on a Se-Terminated GaAlAs Surface for the Quantum-Well Box Structure by Sequential Supplies of Ga an
(Se終端処理を施したGaAlAs基板上でのGaおよびAs分子線連続照射による、量子箱作製を目指したGaAs微結晶の成長.)

Toyohiro Chikyow, Nobuyuki Koguchi.

Applied Physics Letters 61 [20] 2431-2433. 1992.

https://doi.org/10.1063/1.108187

NIMS著者

知京豊裕

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 11:34:16 +0900 更新時刻: 2026-11-02 05:24:53 +0900

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