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著者名Ryan G. Banal, Masataka Imura, Daiju Tsuya, Hideo Iwai, Yasuo Koide.
タイトルNanometer-thin ALD-Al2O3for the improvement of the structural quality of AlN grown on sapphire substrate by MOVPE
掲載誌名physica status solidi (a) 214 [2] 1600727
ISSN: 18626300, 18626319, 00318965
ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社Wiley
発表年2017
言語English
DOIhttps://doi.org/10.1002/pssa.201600727
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