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著者名Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Blanka Magyari-Köpe, Hiroyoshi Momida, Takahisa Ohno, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi, Kenji Shiraishi.
タイトルPhysical Guiding Principles for High Quality Resistive Random Access Memory Stack with Al2O3Insertion Layer
掲載誌名Japanese Journal of Applied Physics 52 [4S] 04CD11
ISSN: 13474065 00214922
発表年2013
言語English
ESIでのカテゴリPHYSICS
DOIhttps://doi.org/10.7567/jjap.52.04cd11
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