HOME > 論文 > 書誌詳細レーザーアブレーション法により生成したSiナノ細線-酸化による細線径および応力の制御と不純物ドーピング-(Silicon nanowires synthesized by laser ablation –Control of diameter and stress by thermal oxidation and impurity doping-)深田 直樹. 応用物理 75 [12] 1481-1486. 2006.NIMS著者深田 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2016-05-24 15:06:43 +0900更新時刻: 2018-05-30 18:40:27 +0900