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著者名X. L. Yuan, T. Sekiguchi, S. G. Ri, S. Ito.
タイトルDetection of misfit dislocations at interface of strained Si/Si0.8Ge0.2 by electron-beam-induced current technique
掲載誌名Applied Physics Letters 84 17 3316 3318
ISSN: 10773118 00036951
発表年2004
言語English
DOI10.1063/1.1734688
ESIでのカテゴリPHYSICS
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