ペロブスカイト太陽電池は塗布やコーティング及び、100℃程度のアニールプロセス等で作製可能で、太陽光に対する光電変換効率も20％と高く、次世代型太陽電池として、大面積化プロセス開発が進んでいる。一方で、実用化に向けて、高い光電変換効率を維持して、約20年の長期信頼性が求められている。通常の無機半導体と異なり、ペロブスカイトでは内部におけるイオンの移動が顕著に観測され、またペロブスカイトは水や酸素分子によって劣化が進行する問題がある。NIMSでは太陽電池を構成するペロブスカイト層と電荷輸送層等の界面を跨るイオンや分子の移動が劣化要因となることを明らかにしており、界面の制御によりイオンや分子の移動を抑制し、長期信頼性を実現したいと考えている。