通常の半導体では電荷励起と磁気励起が同じエネルギー域に存在するが、強相関半導体では両者が異なるエネルギー域に存在している。この強相関系特有の性質は、電子励起（バンド構造）にも影響を与えることを理論・数値計算によって明らかにした。具体的には、図に示すように、フェルミレベルがバンド内に入ると、磁気励起を反映した電子状態が出現する（バンド構造が変化する）ことを示した。また、温度を上昇させることによっても同様に電子状態を出現させられることも示した。このような特徴は、従来の半導体のエレクトロニクスでは想定されておらず、強相関材料を活用することにより、従来のエレクトロニクスを根底から変革し、新しい強相関エレクトロニクスが切り拓かれる可能性がある。