- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
学生受け入れ中
外部併任先
- 北海道大学 大学院情報科学研究院 客員教授（～2026年3月）
研究内容
- Keywords
半導体ナノ材料、結晶成長･結晶工学、電子物性、半導体ナノエレクトロニクス
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
所属学会
応用物理学会, IEEE-EDS, MRS
受賞履歴
- 第24回（2025年度）応用物理学会論文誌編集貢献賞 (2026)
ナノアーキテクトニクス材料研究センター
タイトル
GeナノワイヤのSi上位置制御VLS成長の初期過程制御
キーワード
垂直自立型p-Geナノワイヤ, ボトムアップ型結晶成長, 位置制御VLS成長
概要
ゲート電極で全周を覆うゲート・オール・アラウンド縦型トランジスタに好適な垂直自立型p-Ge半導体ナノワイヤ（NW）の位置制御VLS成長技術を研究する。電子線リソグラフィによる円形金触媒薄膜パターンと従来のVLS成長法の融合により、ウェハ上の所望の位置にNWを配置する独自技術を実現し、縦型トランジスタを試作する。
新規性・独創性
Siウェハ上のGeナノワイヤの位置制御VLS成長技術
内容
Siウェハ上のGeナノワイヤの位置制御VLS成長技術
まとめ
Si上の垂直<111>配向p-Geナノワイヤ周期アレイの実現に向け、円形Au薄膜パターニングプロセスの改善、結晶成長条件の最適化などを目指す
この機能は所内限定です。
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