Wide Controllability of Flatband Voltage in La2O3 Gate Stack Structures &#8211; Remarkable Advantages of La2O3 over HfO2 &#8211;

Wide Controllability of Flatband Voltage in La2O3 Gate Stack Structures – Remarkable Advantages of La2O3 over HfO2 –
(フラットバンド特性の制御に関するHfO2に対するLa2O3の優位性)

OHMORI, Kenji, ParhatAhmet, SHIRAISHI Kenji , YAMABE Kikuo, Heiji Watanabe, Yasushi Akasaka, UMEZAWA, Naoto, NAKAJIMA, Kiyomi, YOSHITAKE, Michiko, Takashi Nakayama, K. -S. Chang, Kuniyuki Kakushima, Yasuo Nara, M. L. Green, Hiroshi Iwai, YAMADA Keisaku, CHIKYOW, Toyohiro.

SSDM Proceedings 210-211. 2006.

NIMS著者

吉武道子
知京豊裕

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2017-02-27 01:08:11 +0900更新時刻: 2017-03-17 03:07:51 +0900

Wide Controllability of Flatband Voltage in La2O3 Gate Stack Structures – Remarkable Advantages of La2O3 over HfO2 –(フラットバンド特性の制御に関するHfO2に対するLa2O3の優位性)

NIMS著者

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Wide Controllability of Flatband Voltage in La2O3 Gate Stack Structures – Remarkable Advantages of La2O3 over HfO2 –
(フラットバンド特性の制御に関するHfO2に対するLa2O3の優位性)