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The formation mechanism of the V3Ga phase on the high Ga contentCu-Ga compound/V diffusion reaction through the high-temperature XRD analysis

著者Y. Hishinuma, A. Kikuchi, S. Murakami, K. Matsuda, H. Taniguchi, T. Takeuchi.
発表誌名PHYSICS PROCEDIA
発表年2012
言語English
DOIhttps://doi.org/10.1016/j.phpro.2012.06.120
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公開範囲 インターネット公開
作成時刻 / 更新時刻2017-02-27 02:06:56 +0900 / 2017-03-17 04:14:37 +0900

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