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Growth process of GaN layer on ZrB2 substrate by gas source molecular beam epitaxy
(ガス源MBEによるZrB2基板上でのGaN成長過程)

N.Ohshima, A.Sugihara, N.Okabe, N.Yoshida, OTANI, Shigeki.

NIMS著者


    Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット


      作成時刻: 2017-02-27 00:27:14 +0900更新時刻: 2017-03-17 02:29:29 +0900

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