リンドープホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の電界電子放出特性 | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Field emission characteristics of phosphorus-doped homoepitaxial diamond films
(リンドープホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の電界電子放出特性)

C.Kimura, Kuriyama, KOIZUMI, Satoshi, 加茂睦和, 杉野隆.

APPLIED SURFACE SCIENCE 295-298. 1999.

NIMS著者

小泉聡

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2022-09-05 10:59:33 +0900 更新時刻: 2022-09-05 10:59:33 +0900

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