Ion-induced frequency shift of 1100 cm-1 IR vibration in implanted SiO2: compaction vs. bond-breaking
(厚いSiO2上の薄い注入層のイオン誘起密度化：1050 cm-1反射帯の新解釈)
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-27 00:08:43 +0900更新時刻: 2017-03-17 02:12:52 +0900