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著者名Yuan, Xiaoli, SEKIGUCHI, Takashi, 李成奇, 伊藤俊.
タイトルElectron-beam-induced current analysis of dislocations in strained Si/Si0.8Ge0.2
発表誌名Proc. of the 4th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
発表年2004
言語English

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