HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Te終端処理を施したInSb基板上での液滴エピタキシィによるInSb微結晶の成長.(Growth of InSb Micro Crystals on a Te-Terminated InSb Substrate by Droplet Epitaxy.)大西 桂子, 高橋聰, 小口 信行, 吉武 道子, 吉原一紘, 高橋聰, 吉原一紘. 応用物理学会. 1991年10月09日-1991年10月12日.NIMS著者大西 桂子吉武 道子Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-18 00:21:58 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:11:58 +0900