強誘電体メモリーのための急峻な界面を持つ酸化物界面構造のための新しい考え
(A new concept of abrupt oxide/Si interface formation for ferrelectric memory device)
第６回酸化物エレクトロニクスワークショップ. 1999年12月06日-1999年12月07日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 01:52:10 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:01:22 +0900