HOME > 口頭発表 > 書誌詳細液滴エピタキシー法による二分割GaAs量子ドット構造の作製(The Fabrication of GaAs Double Quantum Dots by Droplet Epitaxy)山際 正和, 間野 高明, 黒田 隆, 迫田 和彰, 木戸 義勇, 小口 信行. 第66回応用物理学会学術講演会. 2005年09月07日-2005年09月11日.NIMS著者間野 高明黒田 隆迫田 和彰Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:32:09 +0900 更新時刻: 2017-07-10 19:25:00 +0900