HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Surface stress relaxation of silicon oxide by radical nitrogen(励起窒素によるシリコン酸化膜応力の緩和)ITAKURA, Akiko. Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Inter. 2002年10月21日-2002年10月25日.NIMS著者板倉 明子Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-09-05 11:15:26 +0900 更新時刻: 2022-09-05 11:15:26 +0900