HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Microstructural Change in dislocation Structure around SiGe/Si interface in SGOI wafer : wafer ramping process(加熱に伴うSGOI ウェーハのSiGe/Si界面近傍における転位構造の微細構造解析)II, Seiichiro. 5th International Conference on Si epitaxy and Heterostructures . 2007年05月21日-2007年05月24日.NIMS著者井 誠一郎Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-09-05 12:08:16 +0900更新時刻: 2022-09-05 12:08:16 +0900