走査トンネル顕微鏡によるAs終端Si(001)表面構造観察とGaイオン照射後の構造変化
(Structuresot As-terminatid Ai(001)Surface and Ga In Induced Defecfs Obserwed by STM.)
第59回応用物理学会学術講演会. 1998年09月15日-1998年09月18日.
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作成時刻: 2017-02-18 01:32:44 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:50:44 +0900