HOME > 口頭発表 > 書誌詳細高密度Ga液滴エビタキ法によるInGaAs量子ドットの作製(InGaAs giantuin dots growth by droplet epitaxy with highly dense Ga droplets)間野高明, 渡辺克之, 今中 康貴, 高増 正, 藤岡洋, 木戸 義勇, 尾嶋正治, 小口 信行, 間野高明, 渡辺克之, 藤岡洋, 尾嶋正治. 1999年春季第46回応用物理学関係連合講演会. 1999年03月28日-1999年03月31日.NIMS著者今中 康貴Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-18 01:36:53 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:53:03 +0900