HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Liイオン輸送を用いたVO2の抵抗率制御(Resistivity Control of VO2 Based All-Solid-State Redox Transistors Achieved by Li+ Transport)Jun-ichiro Ishida, Atsushi Takahashi, 土屋 敬志, Tohru Higuchi. MANA International Symposium 2018. 2018.NIMS著者土屋 敬志Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-02-08 22:21:54 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:18:02 +0900