HOME > 口頭発表 > 書誌詳細MOS構造のバイアス印加下XPS測定(XPS analysis of MOS structure under bias voltage applied between gate and silicon)吉武 道子, 大毛利 健治, 知京 豊裕. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008.NIMS著者吉武 道子知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:09:47 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:09:24 +0900