レーザーアブレーション法により生成した半導体Siナノ細線－熱酸化による細線径および応力の制御と不純物ドーピング－
(Control of diameter, stress, and doping in SiNWs synthesized by laser ablation)
応用物理学会新領域「励起ナノプロセス」研究グループ第2回研究会. 2006. 招待講演
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:24:01 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:41:15 +0900