HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Si中多原子空孔に補った水素分子の形成温度(Formation Temperature of Hydrogen Molecules trapped by Multivacancies in Silicon)北島 正弘, 森俊樹, 石岡 邦江, 菱田 俊一, 村上浩一, 森俊樹, 村上浩一. 1999年秋季第60回応用物理学会学術講演会. 1999.NIMS著者石岡 邦江菱田 俊一Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:30:06 +0900更新時刻: 2017-07-10 18:00:13 +0900