HOME > 口頭発表 > 書誌詳細イオン照射によるC-Si系でのSiC形成機構(FORMATION MECHANISM OF SIC IN C-SI SYSTEM BY ION IRRADIATION)菱田俊一, 相澤 俊, 末原茂, 羽田 肇. International Symposium on Material Chemistry in Nuclear Envirom. 2002年03月13日-2002年03月15日.NIMS著者相澤 俊Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:26:59 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:23:41 +0900