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著者名Tatsuro Maeda, ジェバスワン ウイパコーン, Hiroyuki Hattori, Noriyuki Uchida, Shu Miura, Masatoshi Tanaka, J. -P. Locquet, R. R. Lieten.
タイトル固相エピタキシー法による Si(111)基板上の極薄 GeSn-pMOSFETs
(Ultra-thin GeSn pMOSFETs on Si (111) by solid phase epitaxy)
会議名The 61st JSAP Spring Meeting 2014
発表年2014
言語Japanese
外部での文献参照

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