HOME > 口頭発表 > 書誌詳細界面ナノ構造を導入した高結晶性InN/ZnOヘテロ構造の作製(Synthesis of high crystalline InN/ZnO heterostructure by insertion of interface nanostructure)大垣 武, 坂口 勲, 大橋 直樹, 羽田 肇. INC4, Nanotech in Japan. 2008.NIMS著者大垣 武坂口 勲大橋 直樹羽田 肇Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:44:56 +0900 更新時刻 :2017-07-10 20:11:40 +0900