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著者名ODA Minoru, IRISAWA Toshifumi, ジェバスワン ウイパコーン, MAEDA Tetsuro, KAMIMUTA Yuuichi, ICHIKAWA Osamu, ISHIHARA Toshio, OSADA Takenori, TEZUKA Tsutomu.
タイトルGaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上
会議名2014 Gate stack meeting
発表年2014
言語Japanese
外部での文献参照

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