HOME > 口頭発表 > 書誌詳細GaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上ODA Minoru, IRISAWA Toshifumi, ジェバスワン ウイパコーン, MAEDA Tetsuro, KAMIMUTA Yuuichi, ICHIKAWA Osamu, ISHIHARA Toshio, OSADA Takenori, TEZUKA Tsutomu. 2014 Gate stack meeting. 2014年01月20日-2014年01月21日.NIMS著者ジェバスワン ウイパコーンMaterials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:01:34 +0900 更新時刻: 2018-06-05 13:43:06 +0900
