n原子のSi(001)およびH線端化Si(001)(2×1)表面における初期過程の第一原理的研究
(A first-principles study on initial processos of a Ni atom on The Si(001) and H-tenorineted Si(001)(2×1)sarfaces)
3rd Inter Symp on Control of Saimicondactor In Fefaces. 1999年10月25日-1999年10月29日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 04:50:38 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:56:20 +0900