HfO2 成膜前アニールにより形成した GaOx パッシベーション層形成による Sub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFET の電子移動度向上

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HfO2 成膜前アニールにより形成した GaOx パッシベーション層形成による Sub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFET の電子移動度向上
(Electron mobility improvement due to GaO x passivation layer formed by pre-deposition anneal in HfO2 /In0.53Ga0.47As nMISFET with sub-1.0 nm EOT)

M. Oda, T. Irisawa, Y. Kamimuta, ジェバスワンウイパコーン, Tatsuro Maeda, O. Ichikawa, T. Ishihara, T. Osada, T. Tezuka.

The 61st JSAP Spring Meeting 2014. 2014.

作成時刻: 2017-01-08 04:35:02 +0900更新時刻: 2018-06-05 13:42:58 +0900